TOPCon SE工艺拥有多种技术路线，根据进入扩散炉的次数，可以分为一次硼扩和二次硼扩。其中，根据激光使用方式的不同，二次硼扩又可以分为两类不同的方法。具体来看：

a. 两次硼扩散+激光开槽。

这是二次硼扩的常规方法，在这种方法中，激光的主要作用是进行开槽，去除金属化图形区域的P+掺杂层和掩膜层，露出N型晶体硅正表面。根据环晟光伏发明专利书，这种方法的工序步骤可以分为5步骤：①一次硼扩散；②激光开槽；③清洗去除激光损伤；④二次硼扩散形成开槽处P++层；⑤二次清洗去除BSG和背面抛光。

b. 两次硼扩散+激光掺杂。

可以利用推进工艺形成的高表面浓度的P++层作为激光掺杂硼源，经过激光掺杂和氧化工艺，形成硼选择性发射极。工序包括5步骤：

①在硼扩散中，推进形成高硼表面浓度的P++层；

②对栅线区域进行激光掺杂推进；

③清洗去除表面硼硅玻璃（BSG）；

④放回扩散炉进行氧化形成选择性发射极；

⑤清洗。

c. 一次激光硼掺杂。

一次硼扩仅需三步工序：①硼扩散；②硼浆印刷（不必需）；③激光掺杂；④清洗。一次激光掺杂工序简单，但难点在于难以形成较好的掺杂曲线。PERC SE是掺磷，而TOPCON SE是掺硼，由于硼和磷的分离系数，磷更容易从二氧化硅向硅中扩散，采用皮秒激光一次掺杂即能够在低温、短时间内掺杂足够的磷原；而硼更容易从硅从二氧化硅中扩散，传统的皮秒激光掺杂方式只能形成较浅的掺杂，往往需要更大的能量才能推进掺杂，而激光能量过大又易造成硅片损伤，因此将硼掺杂进硅的难度更高，一次掺杂往往容易导致重扩区结深、表面浓度与轻扩区差异不明显，复合速率仍高。

4. 刻蚀工序

① 目的

刻蚀的主要作用为去除 BSG 和背结。扩散过程会在硅片表面及周边均形成扩散层，周边扩散层容易形成短路，表面扩散层影响后续钝化，因此需要去除。目前刻蚀主要采用湿法，先在链式设备中去除背面与周边扩散层，之后处理正面。

5. 制备隧穿氧化层与多晶硅层

① 目的

背面沉积 1-2nm 隧穿氧化层，之后沉积 60-100nm 多晶硅层形成钝化结构。TOPCon 钝化层制备方式较多，主要分为 LPCVD、PECVD、PVD 路线等，目前以 LPCVD 为主，PECVD 具备较强潜力。

6. 制备背面减反射膜

① 目的

在电池背面制备减反射钝化膜层增加对光的吸收，同时，在 SiNx 薄膜形成过程中产生的氢原子对硅片具有钝化作用。

7. 正面镀氧化铝

① 目的

在硅片正面沉积一层氧化铝膜层，与其他膜层共同形成正面钝化作用。

8. 制备正面减反射膜

① 目的

正面减反膜与背面作用基本相同，此外，正面沉积的氧化铝薄膜非常薄，容易在后续电池组件的制作中被破坏，正面 SiNx 对氧化铝也具有保护作用。

9. 丝网印刷-激光转印

通过丝网印刷制备前后电极。

10. 烧结

通过高温烧结形成良好的欧姆接触。

11. 自动分选

对不同转换效率的电池片进行分档。

文章来源： 光伏见闻

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